Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.nuft.edu.ua/jspui/handle/123456789/9548
Title: Исследование влияния глибоких уровней на характеристики контакта металл-полупроводник
Authors: Король, Анатолий Николаевич
Keywords: глубокие уровни
контакт металл-полупроводник
промежуточный слой
deep levels
contact metal-semiconductor
intermediate layer
кафедра фізики
Issue Date: 1979
Citation: Король, А. М. Исследование влияния глибоких уровней на характеристики контакта металл-полупроводник : автореф. дис… канд.. физ.-мат наук : 01.04.10 / Король Анатолий Николаевич. – Киев, 1979. – 32 с.
Abstract: Рассматриваются характер и особенности влияния глубоких уровней на вольтамперные , вольтфарадные, шумовые характеристики контакта металл-полупроводник; новая модель глубокого состояния донорного типа; характер и особенности диэлектрического экранирования в полупроводниках In consideration are: the character and specific features of deep levels effect, noise characteristics of the metal-semiconductor contact; the new model of the deep state of donor type, character and specific features of the dielectric screening in semiconductors.
URI: http://dspace.nuft.edu.ua/jspui/handle/123456789/9548
Appears in Collections:01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
korol.pdf10.59 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.