Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.nuft.edu.ua/jspui/handle/123456789/9548
Название: Исследование влияния глибоких уровней на характеристики контакта металл-полупроводник
Авторы: Король, Анатолий Николаевич
Ключевые слова: глубокие уровни
контакт металл-полупроводник
промежуточный слой
deep levels
contact metal-semiconductor
intermediate layer
кафедра фізики
Дата публикации: 1979
Библиографическое описание: Король, А. М. Исследование влияния глибоких уровней на характеристики контакта металл-полупроводник : автореф. дис… канд.. физ.-мат наук : 01.04.10 / Король Анатолий Николаевич. – Киев, 1979. – 32 с.
Краткий осмотр (реферат): Рассматриваются характер и особенности влияния глубоких уровней на вольтамперные , вольтфарадные, шумовые характеристики контакта металл-полупроводник; новая модель глубокого состояния донорного типа; характер и особенности диэлектрического экранирования в полупроводниках In consideration are: the character and specific features of deep levels effect, noise characteristics of the metal-semiconductor contact; the new model of the deep state of donor type, character and specific features of the dielectric screening in semiconductors.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.nuft.edu.ua/jspui/handle/123456789/9548
Располагается в коллекциях:01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
korol.pdf10.59 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.