Статті

Постійне посилання на розділhttps://dspace.nuft.edu.ua/handle/123456789/7372

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 5 з 5
  • Ескіз
    Документ
    Провідність контакту: надпровідний графен із D-хвильовим спарюванням – нормальний графен із різними швидкостями Фермі
    (2018) Король, Анатолій Миколайович; Медвідь, Наталія Вікторівна; Вишняк, Володимир Вікторович; Літвинчук (Воронцова), Світлана Іванівна
    У рамках формалізму Блондера-Тинкхема-Клапвійка розраховується провідність контакту: нормальний графен — d-хвильовий надпровідний графен. Власні функції, коефіцієнти андріївського та нормального відбивання обчислюються за допомогою розв’язування рівняння Дірака-Боголюбова-де Жена. Вважається, що швидкості Фермі набувають різних значень в нормальній і надпровідній областях. Розглядається випадок щільового графена. Крім s-хвильового спарювання, яке розглядалось у [16; 17], можливими є також неконвенційні параметри порядку, такі як d-хвильова, р-хвильова і навіть f -хвильова надпровідності. У статті показано, що характеристики контакту для d-хвильової надпровідності є вельми чутливими до значення z = vn / vs де, vn та vs — швидкості Фермі в нормальній і надпровідній областях відповідно. Цей висновок стосується як андріївського, так і нормального відбивання. Показано, що перше з них є домінуючим процесом у формуванні провідності. Одержані результати є правильними для довільного значення орієнтаційного кута d-хвиль. Також розраховано і проаналізовано залежність електропровідності від зовнішнього електростатичного потенціалу та від енергії Фермі. Провідність G(E) розраховано з урахуванням того факту, що зовнішній електричний потенціал прикладено до надпровідної частини контакту, що розглядається. Характерною рисою залежності провідності від енергії Фермі квазіелектронів G(E) є наявність максимальних значень (піків) у залежності G(E). Крім того, крутизна кривих G(E) істотно залежить від значення швидкості Фермі vF . Проаналізовано залежність провідності від зовнішнього електростатичного потенціалу, а також від енергії Фермі для різних значень ротаційного кута. Одержані результати можуть бути корисними в пристроях електроніки на основі графену.
  • Ескіз
    Документ
    Tunneling conductance of the s – wave and d- wave pairing superconductive graphene – normal graphene junction
    (2019) Korol, Anatoliy
    Within the framework of the Blonder – Tinkham-Klapwijk formalism we calculate and analyze the conductance of the normal graphene – s-wave and independently d-wave pairing superconductive graphene junction. The eigenfunctions, the Andreev and the normal reflection rates are obtained by solving the Dirac – Bogoliubov – de Gennes equations. We consider the options of gapless and gapped graphene for both cases: – s-wave and independently d-wave.
  • Ескіз
    Документ
    Conductivity of the junction: d-wave pairing superconductive graphene — normal graphene with different Fermi velocity
    (2018) Korol, Anatoliy; Medved, Nataliya; Vyshniak, Volodymyr; Litvynchuk (Vorontsova), Svitlana
    In recent years, much attention has been paid to the study of graphene and various graphene-based structures. This is due to non-trivial properties of graphene, such as a linear dispersion law for the quasi-particles, whose behavior at low energies is described by an equation similar to the DiracWeyl one, unusual quantum Hall effect, the property of chirality, the Klein tunneling, high mobility, ballistic transport etc. [1, 2]. It should also be borne in mind that graphene is a promising material in modern electronics in terms of replacing the silicon technology, the development of which has reached its limit, for the graphene one. One of the priority directions is to study the various possibilities of controlling the energy spectrum of the graphene-based structures.
  • Ескіз
    Документ
    Тунельна прозорість графенової симетричної двор’єрної структури з бар'єрами швидкості фермі
    (2017) Король, Анатолій Миколайович; Літвинчук (Воронцова), Світлана Іванівна; Гуцало, Інна Володимирівна; Вишняк, Володимир Вікторович
    Розраховано і проаналізовано коефіцієнт квантової трансмісії квазіелектронів Дірака-Вейля крізь два симетричні бар’єри із, квантовою ямою посередені. Бар’єри утворюються за рахунок різних швидкостей Фермі в різних областях структури і є прямокутними. Показано, що спектри трансмісії мають яскраво виражений тунельно-резонансний характер. Важливою рисою спектрів є те, що вони періодичні по всій шкалі енергій. Конфігурація дозволених і заборонених зон істотно залежить від значень швидкості Фермі в бар’єрах, а також від товщини бар’єрів і ширини квантової ями. Із цього випливає, що дана структура може ефективно слугувати енергетичним фільтром для квазіелектронів Дірака-Вейля, за допомогою якого зручно регулювати діапазон енергій для фільтрації носіїв заряду. The quantum transmission coefficient of the Dirac-Weil quasielectrons is calculated and analyzed through two symmetric barriers with a quantum well in the middle. Barriers are formed at the expense of different Fermi velocities in different regions of the structure and are rectangular. It is shown that the transmission spectra have a pronounced tunnel-resonant character. An important feature of the spectra is that they are periodic throughout the scale of energy. The configuration of the allowed and forbidden zones depends essentially on the values ​​of the Fermi velocity in the barriers, as well as on the thickness of the barriers and the width of the quantum well. It follows that this structure can effectively serve as a power filter for Dirac-Weil quasielectrons, by which it is convenient to regulate the energy range for filtering charge carriers.
  • Ескіз
    Документ
    Вплив швидкості Фермі на коефіцієнт трансмісії квазіелектронів Дірака-Вейля в однобар’єрній графеновій структурі
    (2016) Король, Анатолій Миколайович; Вишняк, Володимир Вікторович; Літвинчук (Воронцова), Світлана Іванівна; Гуцало, Інна Володимирівна
    Розглядається однобар’єрна наноструктура, створена на базі одношарового безщільового графену з різними значеннями швидкості Фермі в бар’єрній області. В рамках континуальної моделі за допомогою релятивістського рівняння Дірака-Вейля, яке не містить масового члена, розраховується коефіцієнт проходження квазіелектронів Т крізь дану структуру. Для одержання кількісних значень коефіцієнта квантової прозорості розглядуваної системи Т використано метод трансферних матриць. Аналізується залежність величини Т від параметрів даної структури – передовсім від значення швидкості Фермі, а також від зовнішнього електростатичного потенціалу, товщини бар’єру і кута падіння носіїв заряду на бар’єр. We consider the single-barrier nanostructure based on the monolayer gapless graphene with various values of the Fermi velocity in the barrier region. The coefficient of the quasielectron transmission through the given structure T is calculated with the help of the relativistic Dirac-Weyl equation which doesn’t contain the mass term within the framework of the continuum model. We use the transfer-matrix method to obtain the numerical values of the quantum transparency of this system T. The dependence of the quantity T on the parameters of the structure considered is analyzed – first of all on the Fermi velocity magnitude, as well as on the external electrostatic potential, on the barrier width and on the angle of the charge carrier incidence on the SL.