Король, Анатолій Миколайович2013-06-192013-06-191999Король, А. М. Резонансне тунелювання за участю глибоких центрів в напівпровідникових структурах та зв’язані з ним ефекти : автореф. дис… канд.. фіз.-мат наук : 01.04.10 / Король Анатолій Миколайович. – К., 1999. – 32 с.https://dspace.nuft.edu.ua/handle/123456789/8362В дисертації представлено результати теоретичних досліджень процесу резонансного тунелювання за участю глибоких станів в напівпровідникових структурах і зв’язаних з ним ефектів. Розраховуються і аналізуються енергетичні спектри двобар’єрної тунельно-резонансної структури, асиметричних подвійних квантових ям, надграток з макродефектами за умови, що в потенціальних бар’єрах вказаних структур знаходяться глибокі центри. Results of the investigation of theoretical study of the resonant-tunneling process with the participation of deep states in semiconductor structures as well as the effects associated with this process are presented in these theses. Energy spectra of the double-barrier resonant-tunneling structure, asymmetric double quantum wells, superlattices with marcodefects are calculated and analyzed under the condition that deep centers are incorporated into potential barriers of these structures.otherрезонансне тунелюванняглибокі центринапівпровідникові структуриsemiconductor structuresdeep centersresonant tunnelingкафедра фізики та професійної безпекиOther