Шека, Д. И.Король, Анатолий НиколаевичВоскобойников, А. М.2013-03-282013-03-281983Шека, Д. И. Вероятность ионизации глубокого центра вблизи свободной поверхности полупроводника / Д. И. Шека, А. Н. Король, А. М. Воскобойников // Поверхность, Физика, химия, механика. – 1983. – Т. 9. – С. 21–24.https://dspace.nuft.edu.ua/handle/123456789/7105Рассчитывается вероятность ионизации глубокого примесного центра в полуограниченном полупроводнике при изоэнергетическом переходе электронов в зону поверхностных состояний.The authors calculated the probability of ionization of a deep impurity center in a semi-limited semiconductor by a possible isoenergetic drift of electrons in the zone of surface states.otherвероятность ионизацииглубокие центрыповерхностные состоянияionization probabilitydeep centerssurface statesкафедра фізики та професійної безпекиArticle