Вероятность ионизации глибокого центра вблизи свободной поверхности полупроводника - Шека, Д. И.; Король, Анатолий Николаевич; Воскобойников, А. М. (My University, 1983)
Рассчитывается вероятность ионизации глубокого примесного центра в полуограниченном полупроводнике при изоэнергетическом переходе электронов в зону поверхностных состояний.

The authors calculated the probability of ionization of a deep impurity center in a semi-limited semiconductor by a possible isoenergetic drift of electrons in the zone of surface states.
Keywords: ионизация; полупроводник; електронний спектр; ionization; semiconductor; electronic spectrum; кафедра фізики та професійної безпеки