Король, Анатолий НиколаевичСтриха, В. И.Шека, Д. И.2013-05-282013-05-281978Король, А. Н. Учет неравновесности в задаче об определении параметров глубоких примесных уровней из характеристик контакта металл-полупроводник / А. Н. Король, В. И. Стриха, Д. И. Шека // Физика и техника полупроводников. – 1978. – Т. 12. – С. 1658.https://dspace.nuft.edu.ua/handle/123456789/7998Получена пространственная зависимость квазиуровня Ферми в контакте металл-тонкий диэлектрик-полупроводник, содержащем глубокие примеси. Space dependence of the Fermi quasilevel is obtained for the contact metal-thin dielectric-semiconductor which containes deep levelsotherконтакт металл-полупроводникглубокие уровнинеравновесностьmetal-semiconductor contactdeep levelsnonequilibrium stateкафедра фізики та професійної безпекиArticle