Резонансне тунелювання за участю глибоких центрів в напівпровідникових структурах та зв’язані з ним ефекти
Вантажиться...
Дата
1999
Автори
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
Анотація
В дисертації представлено результати теоретичних досліджень процесу резонансного тунелювання за участю глибоких станів в напівпровідникових структурах і зв’язаних з ним ефектів. Розраховуються і аналізуються енергетичні спектри двобар’єрної тунельно-резонансної структури, асиметричних подвійних квантових ям, надграток з макродефектами за умови, що в потенціальних бар’єрах вказаних структур знаходяться глибокі центри.
Results of the investigation of theoretical study of the resonant-tunneling process with the participation of deep states in semiconductor structures as well as the effects associated with this process are presented in these theses. Energy spectra of the double-barrier resonant-tunneling structure, asymmetric double quantum wells, superlattices with marcodefects are calculated and analyzed under the condition that deep centers are incorporated into potential barriers of these structures.
Опис
Ключові слова
резонансне тунелювання, глибокі центри, напівпровідникові структури, semiconductor structures, deep centers, resonant tunneling, кафедра фізики
Бібліографічний опис
Король, А. М. Резонансне тунелювання за участю глибоких центрів в напівпровідникових структурах та зв’язані з ним ефекти : автореф. дис… канд.. фіз.-мат наук : 01.04.10 / Король Анатолій Миколайович. – К., 1999. – 32 с.