Effect of deep impurity levels on Schottky barrier diode characteristics
Вантажиться...
Дата
1975
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
Анотація
In the presence of an arbitrary number of deep donor levels volt-ampere and volt-farad characteristics are obtained for the Schottky barrier diode which contains a thin dielectric layer between the metal and the semiconductor.
Опис
Ключові слова
deep levels, Schottky barrier, бар’єр Шоткі, глибокі рівні, барьер Шоттки, глубокие уровни, кафедра фізики
Бібліографічний опис
Effect of deep impurity levels on Schottky barrier diode characteristics / A. Korol, M. Kitsai, V. Strikha, D. Sheka // Solid State Electronics. – 1975. – Vol. 18. – P. 375.