The effect of both abrupt and strong enhancement of current in the semiconductor system : Schottky barrier containing a double barrier resonant-tunneling structure

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorKorol, Anatoliy
dc.contributor.authorTretyak, O.
dc.contributor.authorSheka, D.
dc.date.accessioned2013-04-29T10:19:00Z
dc.date.available2013-04-29T10:19:00Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractThe current-voltage characteristics for the double barrier resonant-tunneling structure incorporated into the depletion region of a Schottky barrier, are evaluated and analyzed. Hence both a very sharp and strong enhancement of current through the structure considered takes place for forward bias.uk_UK
dc.identifier.citationKorol, A. The effect of both abrupt and strong enhancement of current in the semiconductor system : Schottky barrier containing a double barrier resonant-tunneling structure / A. Korol, O. Tretyak, D. Sheka // Physica Status Solidi (a) 188. – 2001. - № 3. – P. 1169-1175.uk_UK
dc.identifier.urihttps://dspace.nuft.edu.ua/handle/123456789/7711
dc.language.isootheruk_UK
dc.subjectcurrent-voltage characteristicuk_UK
dc.subjectresonant-tunneling structureuk_UK
dc.subjectschottky barrieruk_UK
dc.subjectвольт-амперна характеристикаuk_UK
dc.subjectтунельно-резонансна структураuk_UK
dc.subjectбар’єр Шоткіuk_UK
dc.subjectвольт-амперная характеристикаuk_UK
dc.subjectтуннельно-резонансная структураuk_UK
dc.subjectбарьер Шотткиuk_UK
dc.subjectкафедра фізики
dc.titleThe effect of both abrupt and strong enhancement of current in the semiconductor system : Schottky barrier containing a double barrier resonant-tunneling structureuk_UK
dc.typeOtheruk_UK

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
951.pdf
Розмір:
872.55 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Статті