Исследование влияния глибоких уровней на характеристики контакта металл-полупроводник

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКороль, Анатолий Николаевич
dc.date.accessioned2013-09-05T11:38:28Z
dc.date.available2013-09-05T11:38:28Z
dc.date.issued1979
dc.description.abstractРассматриваются характер и особенности влияния глубоких уровней на вольтамперные , вольтфарадные, шумовые характеристики контакта металл-полупроводник; новая модель глубокого состояния донорного типа; характер и особенности диэлектрического экранирования в полупроводниках In consideration are: the character and specific features of deep levels effect, noise characteristics of the metal-semiconductor contact; the new model of the deep state of donor type, character and specific features of the dielectric screening in semiconductors.uk_UK
dc.identifier.citationКороль, А. М. Исследование влияния глибоких уровней на характеристики контакта металл-полупроводник : автореф. дис… канд.. физ.-мат наук : 01.04.10 / Король Анатолий Николаевич. – Киев, 1979. – 32 с.uk_UK
dc.identifier.urihttps://dspace.nuft.edu.ua/handle/123456789/9548
dc.subjectглубокие уровниuk_UK
dc.subjectконтакт металл-полупроводникuk_UK
dc.subjectпромежуточный слойuk_UK
dc.subjectdeep levelsuk_UK
dc.subjectcontact metal-semiconductoruk_UK
dc.subjectintermediate layeruk_UK
dc.subjectкафедра фізики
dc.titleИсследование влияния глибоких уровней на характеристики контакта металл-полупроводникuk_UK

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
korol.pdf
Розмір:
10.34 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків