Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.nuft.edu.ua/jspui/handle/123456789/9548
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКороль, Анатолий Николаевич-
dc.date.accessioned2013-09-05T11:38:28Z-
dc.date.available2013-09-05T11:38:28Z-
dc.date.issued1979-
dc.identifier.citationКороль, А. М. Исследование влияния глибоких уровней на характеристики контакта металл-полупроводник : автореф. дис… канд.. физ.-мат наук : 01.04.10 / Король Анатолий Николаевич. – Киев, 1979. – 32 с.uk_UK
dc.identifier.urihttp://dspace.nuft.edu.ua/jspui/handle/123456789/9548-
dc.description.abstractРассматриваются характер и особенности влияния глубоких уровней на вольтамперные , вольтфарадные, шумовые характеристики контакта металл-полупроводник; новая модель глубокого состояния донорного типа; характер и особенности диэлектрического экранирования в полупроводниках In consideration are: the character and specific features of deep levels effect, noise characteristics of the metal-semiconductor contact; the new model of the deep state of donor type, character and specific features of the dielectric screening in semiconductors.uk_UK
dc.subjectглубокие уровниuk_UK
dc.subjectконтакт металл-полупроводникuk_UK
dc.subjectпромежуточный слойuk_UK
dc.subjectdeep levelsuk_UK
dc.subjectcontact metal-semiconductoruk_UK
dc.subjectintermediate layeruk_UK
dc.subjectкафедра фізики-
dc.titleИсследование влияния глибоких уровней на характеристики контакта металл-полупроводникuk_UK
Appears in Collections:01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
korol.pdf10.59 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.