Исследование влияния глибоких уровней на характеристики контакта металл-полупроводник
Вантажиться...
Файли
Дата
1979
Автори
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
Анотація
Рассматриваются характер и особенности влияния глубоких уровней на вольтамперные , вольтфарадные, шумовые характеристики контакта металл-полупроводник; новая модель глубокого состояния донорного типа; характер и особенности диэлектрического экранирования в полупроводниках
In consideration are: the character and specific features of deep levels effect, noise characteristics of the metal-semiconductor contact; the new model of the deep state of donor type, character and specific features of the dielectric screening in semiconductors.
Опис
Ключові слова
глубокие уровни, контакт металл-полупроводник, промежуточный слой, deep levels, contact metal-semiconductor, intermediate layer, кафедра фізики
Бібліографічний опис
Король, А. М. Исследование влияния глибоких уровней на характеристики контакта металл-полупроводник : автореф. дис… канд.. физ.-мат наук : 01.04.10 / Король Анатолий Николаевич. – Киев, 1979. – 32 с.