Учет неравновесности в задаче об определении параметров глубоких примесных уровней из характеристик контакта металл-полупроводник
Вантажиться...
Файли
Дата
1978
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
Анотація
Получена пространственная зависимость квазиуровня Ферми в контакте металл-тонкий диэлектрик-полупроводник, содержащем глубокие примеси.
Space dependence of the Fermi quasilevel is obtained for the contact metal-thin dielectric-semiconductor which containes deep levels
Опис
Ключові слова
контакт металл-полупроводник, глубокие уровни, неравновесность, metal-semiconductor contact, deep levels, nonequilibrium state, кафедра фізики
Бібліографічний опис
Король, А. Н. Учет неравновесности в задаче об определении параметров глубоких примесных уровней из характеристик контакта металл-полупроводник / А. Н. Король, В. И. Стриха, Д. И. Шека // Физика и техника полупроводников. – 1978. – Т. 12. – С. 1658.