Учет неравновесности в задаче об определении параметров глубоких примесных уровней из характеристик контакта металл-полупроводник
Вантажиться...
Файли
Дата
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Анотація
Получена пространственная зависимость квазиуровня Ферми в контакте металл-тонкий диэлектрик-полупроводник, содержащем глубокие примеси.
Space dependence of the Fermi quasilevel is obtained for the contact metal-thin dielectric-semiconductor which containes deep levels
Опис
Бібліографічний опис
Король, А. Н. Учет неравновесности в задаче об определении параметров глубоких примесных уровней из характеристик контакта металл-полупроводник / А. Н. Король, В. И. Стриха, Д. И. Шека // Физика и техника полупроводников. – 1978. – Т. 12. – С. 1658.