Перегляд за Автор "Стриха, В. И."
Зараз показуємо 1 - 2 з 2
- Результатів на сторінці
- Налаштування сортування
Документ О возможности получения отрицательного дифференциального сопротивления в диодах Шоттки(1990) Король, Анатолий Николаевич; Шека, Д. И.; Стриха, В. И.Рассчитывается туннельно-резонансный ток в барьере Шоттки. Считается, что в нем есть глубокие примеси, которые неоднородно распределены в пространстве. The resonant-tunneling current in the Schottky barrier is evaluated. We assume that there are the deep impurities in this barrier which are located in space inhomoginiesly.Документ Учет неравновесности в задаче об определении параметров глубоких примесных уровней из характеристик контакта металл-полупроводник(1978) Король, Анатолий Николаевич; Стриха, В. И.; Шека, Д. И.Получена пространственная зависимость квазиуровня Ферми в контакте металл-тонкий диэлектрик-полупроводник, содержащем глубокие примеси. Space dependence of the Fermi quasilevel is obtained for the contact metal-thin dielectric-semiconductor which containes deep levels