01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків
Постійне посилання колекціїhttps://dspace.nuft.edu.ua/handle/123456789/8361
Переглянути
2 результатів
Результати пошуку
Документ Исследование влияния глибоких уровней на характеристики контакта металл-полупроводник(1979) Король, Анатолий НиколаевичРассматриваются характер и особенности влияния глубоких уровней на вольтамперные , вольтфарадные, шумовые характеристики контакта металл-полупроводник; новая модель глубокого состояния донорного типа; характер и особенности диэлектрического экранирования в полупроводниках In consideration are: the character and specific features of deep levels effect, noise characteristics of the metal-semiconductor contact; the new model of the deep state of donor type, character and specific features of the dielectric screening in semiconductors.Документ Резонансне тунелювання за участю глибоких центрів в напівпровідникових структурах та зв’язані з ним ефекти(1999) Король, Анатолій МиколайовичВ дисертації представлено результати теоретичних досліджень процесу резонансного тунелювання за участю глибоких станів в напівпровідникових структурах і зв’язаних з ним ефектів. Розраховуються і аналізуються енергетичні спектри двобар’єрної тунельно-резонансної структури, асиметричних подвійних квантових ям, надграток з макродефектами за умови, що в потенціальних бар’єрах вказаних структур знаходяться глибокі центри. Results of the investigation of theoretical study of the resonant-tunneling process with the participation of deep states in semiconductor structures as well as the effects associated with this process are presented in these theses. Energy spectra of the double-barrier resonant-tunneling structure, asymmetric double quantum wells, superlattices with marcodefects are calculated and analyzed under the condition that deep centers are incorporated into potential barriers of these structures.