Dielectric permittivity of semiconductors with narrow forbidden gap in the long-wave limit
Вантажиться...
Дата
1976
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
Анотація
In the random phase approximation the dielectric permittivity is evaluated for a semiconductor with a band structure described by Kane’s energy band scheme. It is demonstrated that the fact that several hole bands have been taken into account, when the operator of the kinetic energy ceased to be the Dirac one plays the principal role in the calculation of the static dielectric permittivity ε(q →0).
Опис
Ключові слова
narrowgapped semiconductors, dielectric permittivity, longwave limit, вузькозонні напівпровідники, діелектрична проникність, довгохвильова межа, узкозонные полупроводники, диэлектрическая проницаемость, длинноволновой предел, кафедра фізики
Бібліографічний опис
Sheka, D. Dielectric permittivity of semiconductors with narrow forbidden gap in the long-wave limit / D. Sheka, A. Korol // Physica Status Solidi. - 1976. - (b) 76. - P. 413-418.