Dielectric permittivity of semiconductors with narrow forbidden gap in the long-wave limit

Ескіз

Дата

1976

ORCID

DOI

item.page.thesis.degree.name

item.page.thesis.degree.level

item.page.thesis.degree.discipline

item.page.thesis.degree.department

item.page.thesis.degree.grantor

item.page.thesis.degree.advisor

item.page.thesis.degree.committeeMember

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Анотація

In the random phase approximation the dielectric permittivity is evaluated for a semiconductor with a band structure described by Kane’s energy band scheme. It is demonstrated that the fact that several hole bands have been taken into account, when the operator of the kinetic energy ceased to be the Dirac one plays the principal role in the calculation of the static dielectric permittivity ε(q →0).

Опис

Ключові слова

narrowgapped semiconductors, dielectric permittivity, longwave limit, вузькозонні напівпровідники, діелектрична проникність, довгохвильова межа, узкозонные полупроводники, диэлектрическая проницаемость, длинноволновой предел, кафедра фізики та професійної безпеки

Бібліографічний опис

Sheka, D. Dielectric permittivity of semiconductors with narrow forbidden gap in the long-wave limit / D. Sheka, A. Korol // Physica Status Solidi. - 1976. - (b) 76. - P. 413-418.

Колекції

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced