Морфология, химический состав и электрические характеристики гибридных структур, выращенных на основе нанокомпозита (Ni−C) на ван-дер-ваальсовой поверхности (0001) GaSe
Вантажиться...
Дата
2014
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
Анотація
Методами атомно-силовой микроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследованы морфология и химический состав металлических (Ni), углеродных и нанокомпозитных (Ni−C) наноструктур, выращенных в вакууме на окисленных и неокисленных поверхностях (0001) слоистого кристалла GaSe методом испарения материала электронным пучком из жидкого ионного источника в электрическом поле. Установлено, что в зависимости от режимов выращивания и состояния поверхности подложки при помощи этой технологии могут быть выращены наноструктуры с различной морфологией.
Using atomic force microscopy and X-ray photoelectron spectroscopy to study the morphology and chemical composition of the metal (Ni), carbon and the nanocomposite (Ni-C) nanostructures grown in vacuo on oxidized and non-oxidized surfaces (0001) of a layered crystal GaSe by evaporation material by the electron beam from the liquid ion source in an electric field. It is found that depending on growing conditions and state of the substrate surface using this technology can be grown nanostructures with different morphologies.
Опис
Ключові слова
АСМ, поверхность Ван-дер-Ваальса, РФС, Van der Waals surface, GaSe, кафедра фізики
Бібліографічний опис
Морфология, химический состав и электрические характеристики гибридных структур, выращенных на основе нанокомпозита (Ni−C) на ван-дер-ваальсовой поверхности (0001) GaSe / А. П. Бахтинов, В. Н. Водопьянов, В. В. Вишняк, В. Л. Карбовский и др. // Физика твердого тела. – 2014. - Т. 56, Вып. 10. – С. 2050-2061.