Морфология, химический состав и электрические характеристики гибридных структур, выращенных на основе нанокомпозита (Ni−C) на ван-дер-ваальсовой поверхности (0001) GaSe

Abstract

Методами атомно-силовой микроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследованы морфология и химический состав металлических (Ni), углеродных и нанокомпозитных (Ni−C) наноструктур, выращенных в вакууме на окисленных и неокисленных поверхностях (0001) слоистого кристалла GaSe методом испарения материала электронным пучком из жидкого ионного источника в электрическом поле. Установлено, что в зависимости от режимов выращивания и состояния поверхности подложки при помощи этой технологии могут быть выращены наноструктуры с различной морфологией. Using atomic force microscopy and X-ray photoelectron spectroscopy to study the morphology and chemical composition of the metal (Ni), carbon and the nanocomposite (Ni-C) nanostructures grown in vacuo on oxidized and non-oxidized surfaces (0001) of a layered crystal GaSe by evaporation material by the electron beam from the liquid ion source in an electric field. It is found that depending on growing conditions and state of the substrate surface using this technology can be grown nanostructures with different morphologies.