Залежність енергетичної зонної структури конвенційних напівпровідникових надграток від товщини потенціальних бар’єрів
dc.contributor.author | Король, Анатолій Миколайович | |
dc.date.accessioned | 2013-02-26T13:54:33Z | |
dc.date.available | 2013-02-26T13:54:33Z | |
dc.date.issued | 2012 | |
dc.description.abstract | Напівпровідникові надгратки (НГ) протягом останніх років викликають значний інтерес в наукових колах. Це викликано двома причинами, а саме, з одного боку НГ мають велике застосовне, практичне значення, з іншого, їх вивчення допомагає краще зрозуміти фізику сучасних напівпровідникових наноструктур. Нову хвилю зацікавленості в наноструктурних НГ викликало створення графену та його інтенсивне вивчення (див.нпр. [ 1-2 ]), але дослідження фізичних процесів в конвенційних НГ також залишаються широкими. | uk_UK |
dc.identifier.citation | Король, А. М. Стратегія впровадження франчайзингу – прогресивний підхід до розвитку підприємств харчової промисловості/ А. М. Король // Наукові праці НУХТ. – 2012. – №44. – С. 78-80. | uk_UK |
dc.identifier.uri | https://dspace.nuft.edu.ua/handle/123456789/6586 | |
dc.language.iso | uk_UK | uk_UK |
dc.subject | електронні стани в потенціальних бар’єрах та квантових ямах | uk_UK |
dc.subject | кремній-карбід кремнію | uk_UK |
dc.subject | напівпровідникова надгратка | uk_UK |
dc.subject | кремний-карбид кремния | uk_UK |
dc.subject | полупроводниковая сверхрешетка | uk_UK |
dc.subject | электронные состояния в потенциальных барьерах и квантовых ямах | uk_UK |
dc.subject | electronic states in potential barriers and quantum wells | uk_UK |
dc.subject | Si – SiC | uk_UK |
dc.subject | semiconductor superlattice | uk_UK |
dc.subject | кафедра фізики та професійної безпеки | |
dc.title | Залежність енергетичної зонної структури конвенційних напівпровідникових надграток від товщини потенціальних бар’єрів | uk_UK |
dc.type | Article | uk_UK |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 1.71 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: