Вероятность ионизации глибокого центра вблизи свободной поверхности полупроводника

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorШека, Д. И.
dc.contributor.authorКороль, Анатолий Николаевич
dc.contributor.authorВоскобойников, А. М.
dc.date.accessioned2013-03-28T14:15:30Z
dc.date.available2013-03-28T14:15:30Z
dc.date.issued1983
dc.description.abstractРассчитывается вероятность ионизации глубокого примесного центра в полуограниченном полупроводнике при изоэнергетическом переходе электронов в зону поверхностных состояний.uk_UK
dc.description.abstractThe authors calculated the probability of ionization of a deep impurity center in a semi-limited semiconductor by a possible isoenergetic drift of electrons in the zone of surface states.en_EN
dc.identifier.citationШека, Д. И. Вероятность ионизации глубокого центра вблизи свободной поверхности полупроводника / Д. И. Шека, А. Н. Король, А. М. Воскобойников // Поверхность, Физика, химия, механика. – 1983. – Т. 9. – С. 21–24.uk_UK
dc.identifier.urihttps://dspace.nuft.edu.ua/handle/123456789/7105
dc.language.isootheruk_UK
dc.subjectвероятность ионизацииuk_UK
dc.subjectглубокие центрыuk_UK
dc.subjectповерхностные состоянияuk_UK
dc.subjectionization probabilityuk_UK
dc.subjectdeep centersuk_UK
dc.subjectsurface statesuk_UK
dc.subjectкафедра фізики та професійної безпеки
dc.titleВероятность ионизации глибокого центра вблизи свободной поверхности полупроводникаuk_UK
dc.typeArticleuk_UK

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
1.pdf
Розмір:
3 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Статті