Вероятность ионизации глибокого центра вблизи свободной поверхности полупроводника
dc.contributor.author | Шека, Д. И. | |
dc.contributor.author | Король, Анатолий Николаевич | |
dc.contributor.author | Воскобойников, А. М. | |
dc.date.accessioned | 2013-03-28T14:15:30Z | |
dc.date.available | 2013-03-28T14:15:30Z | |
dc.date.issued | 1983 | |
dc.description.abstract | Рассчитывается вероятность ионизации глубокого примесного центра в полуограниченном полупроводнике при изоэнергетическом переходе электронов в зону поверхностных состояний. | uk_UK |
dc.description.abstract | The authors calculated the probability of ionization of a deep impurity center in a semi-limited semiconductor by a possible isoenergetic drift of electrons in the zone of surface states. | en_EN |
dc.identifier.citation | Шека, Д. И. Вероятность ионизации глубокого центра вблизи свободной поверхности полупроводника / Д. И. Шека, А. Н. Король, А. М. Воскобойников // Поверхность, Физика, химия, механика. – 1983. – Т. 9. – С. 21–24. | uk_UK |
dc.identifier.uri | https://dspace.nuft.edu.ua/handle/123456789/7105 | |
dc.language.iso | other | uk_UK |
dc.subject | вероятность ионизации | uk_UK |
dc.subject | глубокие центры | uk_UK |
dc.subject | поверхностные состояния | uk_UK |
dc.subject | ionization probability | uk_UK |
dc.subject | deep centers | uk_UK |
dc.subject | surface states | uk_UK |
dc.subject | кафедра фізики | |
dc.title | Вероятность ионизации глибокого центра вблизи свободной поверхности полупроводника | uk_UK |
dc.type | Article | uk_UK |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 1.71 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: