Вероятность ионизации глибокого центра вблизи свободной поверхности полупроводника

Abstract

Рассчитывается вероятность ионизации глубокого примесного центра в полуограниченном полупроводнике при изоэнергетическом переходе электронов в зону поверхностных состояний.The authors calculated the probability of ionization of a deep impurity center in a semi-limited semiconductor by a possible isoenergetic drift of electrons in the zone of surface states.