The effect of both abrupt and strong enhancement of current in the semiconductor system : Schottky barrier containing a double barrier resonant-tunneling structure

Вантажиться...
Ескіз

Дата

2001

ORCID

DOI

Науковий ступінь

Рівень дисертації

Шифр та назва спеціальності

Рада захисту

Установа захисту

Науковий керівник

Члени комітету

Видавець

Анотація

The current-voltage characteristics for the double barrier resonant-tunneling structure incorporated into the depletion region of a Schottky barrier, are evaluated and analyzed. Hence both a very sharp and strong enhancement of current through the structure considered takes place for forward bias.

Опис

Ключові слова

current-voltage characteristic, resonant-tunneling structure, schottky barrier, вольт-амперна характеристика, тунельно-резонансна структура, бар’єр Шоткі, вольт-амперная характеристика, туннельно-резонансная структура, барьер Шоттки, кафедра фізики

Бібліографічний опис

Korol, A. The effect of both abrupt and strong enhancement of current in the semiconductor system : Schottky barrier containing a double barrier resonant-tunneling structure / A. Korol, O. Tretyak, D. Sheka // Physica Status Solidi (a) 188. – 2001. - № 3. – P. 1169-1175.

Зібрання