The effect of both abrupt and strong enhancement of current in the semiconductor system : Schottky barrier containing a double barrier resonant-tunneling structure
Вантажиться...
Файли
Дата
Автори
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Анотація
The current-voltage characteristics for the double barrier resonant-tunneling structure incorporated into the depletion region of a Schottky barrier, are evaluated and analyzed. Hence both a very sharp and strong enhancement of current through the structure considered takes place for forward bias.
Опис
Бібліографічний опис
Korol, A. The effect of both abrupt and strong enhancement of current in the semiconductor system : Schottky barrier containing a double barrier resonant-tunneling structure / A. Korol, O. Tretyak, D. Sheka // Physica Status Solidi (a) 188. – 2001. - № 3. – P. 1169-1175.