Перегляд за Автор "Воскобойников, А. М."
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
- Результатів на сторінці
- Налаштування сортування
Документ Вероятность ионизации глибокого центра вблизи свободной поверхности полупроводника(1983) Шека, Д. И.; Король, Анатолий Николаевич; Воскобойников, А. М.Рассчитывается вероятность ионизации глубокого примесного центра в полуограниченном полупроводнике при изоэнергетическом переходе электронов в зону поверхностных состояний.