Перегляд за Автор "Strikha, V."
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Результатів на сторінці
Налаштування сортування
Документ Effect of deep impurity levels on Schottky barrier diode characteristics(1975) Korol, Anatoliy; Kitsai, M. Ye.; Strikha, V.; Sheka, D.In the presence of an arbitrary number of deep donor levels volt-ampere and volt-farad characteristics are obtained for the Schottky barrier diode which contains a thin dielectric layer between the metal and the semiconductor.