Effect of deep impurity levels on Schottky barrier diode characteristics
Дата
1975
ORCID
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Анотація
In the presence of an arbitrary number of deep donor levels volt-ampere and volt-farad characteristics are obtained for the Schottky barrier diode which contains a thin dielectric layer between the metal and the semiconductor.
Опис
Ключові слова
deep levels, Schottky barrier, бар’єр Шоткі, глибокі рівні, барьер Шоттки, глубокие уровни, кафедра фізики та професійної безпеки
Бібліографічний опис
Effect of deep impurity levels on Schottky barrier diode characteristics / A. Korol, M. Kitsai, V. Strikha, D. Sheka // Solid State Electronics. – 1975. – Vol. 18. – P. 375.