Effect of deep impurity levels on Schottky barrier diode characteristics
Вантажиться...
Дата
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник/консультант
Члени комітету
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Анотація
In the presence of an arbitrary number of deep donor levels volt-ampere and volt-farad characteristics are obtained for the Schottky barrier diode which contains a thin dielectric layer between the metal and the semiconductor.
Опис
Бібліографічний опис
Effect of deep impurity levels on Schottky barrier diode characteristics / A. Korol, M. Kitsai, V. Strikha, D. Sheka // Solid State Electronics. – 1975. – Vol. 18. – P. 375.