Effect of deep impurity levels on Schottky barrier diode characteristics
Вантажиться...
Дата
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Анотація
In the presence of an arbitrary number of deep donor levels volt-ampere and volt-farad characteristics are obtained for the Schottky barrier diode which contains a thin dielectric layer between the metal and the semiconductor.
Опис
Бібліографічний опис
Effect of deep impurity levels on Schottky barrier diode characteristics / A. Korol, M. Kitsai, V. Strikha, D. Sheka // Solid State Electronics. – 1975. – Vol. 18. – P. 375.