Вероятность ионизации глибокого центра вблизи свободной поверхности полупроводника
Файли
Дата
1983
ORCID
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Анотація
Рассчитывается вероятность ионизации глубокого примесного центра в полуограниченном полупроводнике при изоэнергетическом переходе электронов в зону поверхностных состояний.
The authors calculated the probability of ionization of a deep impurity center in a semi-limited semiconductor by a possible isoenergetic drift of electrons in the zone of surface states.
The authors calculated the probability of ionization of a deep impurity center in a semi-limited semiconductor by a possible isoenergetic drift of electrons in the zone of surface states.
Опис
Ключові слова
вероятность ионизации, глубокие центры, поверхностные состояния, ionization probability, deep centers, surface states, кафедра фізики та професійної безпеки
Бібліографічний опис
Шека, Д. И. Вероятность ионизации глубокого центра вблизи свободной поверхности полупроводника / Д. И. Шека, А. Н. Король, А. М. Воскобойников // Поверхность, Физика, химия, механика. – 1983. – Т. 9. – С. 21–24.