Effect of deep impurity levels on Schottky barrier diode characteristics

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorKorol, Anatoliy
dc.contributor.authorKitsai, M. Ye.
dc.contributor.authorStrikha, V.
dc.contributor.authorSheka, D.
dc.date.accessioned2013-09-27T10:16:23Z
dc.date.available2013-09-27T10:16:23Z
dc.date.issued1975
dc.description.abstractIn the presence of an arbitrary number of deep donor levels volt-ampere and volt-farad characteristics are obtained for the Schottky barrier diode which contains a thin dielectric layer between the metal and the semiconductor.uk_UK
dc.identifier.citationEffect of deep impurity levels on Schottky barrier diode characteristics / A. Korol, M. Kitsai, V. Strikha, D. Sheka // Solid State Electronics. – 1975. – Vol. 18. – P. 375.uk_UK
dc.identifier.urihttps://dspace.nuft.edu.ua/handle/123456789/9962
dc.language.isootheruk_UK
dc.subjectdeep levelsuk_UK
dc.subjectSchottky barrieruk_UK
dc.subjectбар’єр Шоткіuk_UK
dc.subjectглибокі рівніuk_UK
dc.subjectбарьер Шотткиuk_UK
dc.subjectглубокие уровниuk_UK
dc.subjectкафедра фізики та професійної безпеки
dc.titleEffect of deep impurity levels on Schottky barrier diode characteristicsuk_UK
dc.typeArticleuk_UK

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Effect of deep impurity levels on SchottkyFR10.pdf
Розмір:
1.59 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Статті