Резонансне тунелювання за участю глибоких центрів в напівпровідникових структурах та зв’язані з ним ефекти

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКороль, Анатолій Миколайович
dc.date.accessioned2013-06-19T09:21:46Z
dc.date.available2013-06-19T09:21:46Z
dc.date.issued1999
dc.description.abstractВ дисертації представлено результати теоретичних досліджень процесу резонансного тунелювання за участю глибоких станів в напівпровідникових структурах і зв’язаних з ним ефектів. Розраховуються і аналізуються енергетичні спектри двобар’єрної тунельно-резонансної структури, асиметричних подвійних квантових ям, надграток з макродефектами за умови, що в потенціальних бар’єрах вказаних структур знаходяться глибокі центри. Results of the investigation of theoretical study of the resonant-tunneling process with the participation of deep states in semiconductor structures as well as the effects associated with this process are presented in these theses. Energy spectra of the double-barrier resonant-tunneling structure, asymmetric double quantum wells, superlattices with marcodefects are calculated and analyzed under the condition that deep centers are incorporated into potential barriers of these structures.uk_UK
dc.identifier.citationКороль, А. М. Резонансне тунелювання за участю глибоких центрів в напівпровідникових структурах та зв’язані з ним ефекти : автореф. дис… канд.. фіз.-мат наук : 01.04.10 / Король Анатолій Миколайович. – К., 1999. – 32 с.uk_UK
dc.identifier.urihttps://dspace.nuft.edu.ua/handle/123456789/8362
dc.language.isootheruk_UK
dc.subjectрезонансне тунелюванняuk_UK
dc.subjectглибокі центриuk_UK
dc.subjectнапівпровідникові структуриuk_UK
dc.subjectsemiconductor structuresuk_UK
dc.subjectdeep centersuk_UK
dc.subjectresonant tunnelinguk_UK
dc.subjectкафедра фізики
dc.titleРезонансне тунелювання за участю глибоких центрів в напівпровідникових структурах та зв’язані з ним ефектиuk_UK
dc.typeOtheruk_UK

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Untitled.FR10.pdf
Розмір:
21.78 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків