Резонансне тунелювання за участю глибоких центрів в напівпровідникових структурах та зв’язані з ним ефекти

Abstract

В дисертації представлено результати теоретичних досліджень процесу резонансного тунелювання за участю глибоких станів в напівпровідникових структурах і зв’язаних з ним ефектів. Розраховуються і аналізуються енергетичні спектри двобар’єрної тунельно-резонансної структури, асиметричних подвійних квантових ям, надграток з макродефектами за умови, що в потенціальних бар’єрах вказаних структур знаходяться глибокі центри. Results of the investigation of theoretical study of the resonant-tunneling process with the participation of deep states in semiconductor structures as well as the effects associated with this process are presented in these theses. Energy spectra of the double-barrier resonant-tunneling structure, asymmetric double quantum wells, superlattices with marcodefects are calculated and analyzed under the condition that deep centers are incorporated into potential barriers of these structures.