Исследование влияния глибоких уровней на характеристики контакта металл-полупроводник

Abstract

Рассматриваются характер и особенности влияния глубоких уровней на вольтамперные , вольтфарадные, шумовые характеристики контакта металл-полупроводник; новая модель глубокого состояния донорного типа; характер и особенности диэлектрического экранирования в полупроводниках In consideration are: the character and specific features of deep levels effect, noise characteristics of the metal-semiconductor contact; the new model of the deep state of donor type, character and specific features of the dielectric screening in semiconductors.