Вплив домішкової зони на положення глибокого рівня в сильнолегованих напівпровідниках типу А3 В5
Вантажиться...
Файли
Дата
2012
Автори
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
Анотація
Розглядається сильнолегований мілкими домішками напівпровідник, в якому є також глибокий домішковий центр; потенціал останнього задається моделлю Слетера-Костера. Показано, що положення глибокого рівня в даній системі істотно відрізняється від його положення в нелегованому напівпровіднику. Конкретний розрахунок проведено для напівпровідників типу А3В5(використано кейнівський закон дисперсії).
We consider the heavily doped by shallow impurities semiconductor which containes the deep impurity center as well. The interaction between the shallow impurities band and the deep impurity level is evaluated. The analysis is based on the solution of the Dyson equation. It allows for determination of the Green function for a system: heavily doped semiconductor – deep center. The Green function for an impurity band is found elsewhere. The Koster – Slater model for a deep state is used in k – representation. Using the above scheme one can obtain the algebraic equation for the eigenvalues of the problem considered. Special calculations were carried out for the GaAs semiconductor where Kane dispersion low was explored. It is shown that the location of the deep level in the system under consideration differs significantly from its location in the undoped semiconductor.
We consider the heavily doped by shallow impurities semiconductor which containes the deep impurity center as well. The interaction between the shallow impurities band and the deep impurity level is evaluated. The analysis is based on the solution of the Dyson equation. It allows for determination of the Green function for a system: heavily doped semiconductor – deep center. The Green function for an impurity band is found elsewhere. The Koster – Slater model for a deep state is used in k – representation. Using the above scheme one can obtain the algebraic equation for the eigenvalues of the problem considered. Special calculations were carried out for the GaAs semiconductor where Kane dispersion low was explored. It is shown that the location of the deep level in the system under consideration differs significantly from its location in the undoped semiconductor.
Опис
Ключові слова
напівпровідники, глибокі рівні, домішкова зона, функції Гріна, схема Кейна, semiconductors, deep levels, impurity band, Green functions, Kane’s scheme, кафедра фізики
Бібліографічний опис
Король, А. М. Вплив домішкової зони на положення глибокого рівня в сильнолегованих напівпровідниках типу А3В5 / А. М. Король // Наукові праці НУХТ. - 2012. - № 45. – С. 94-96.