Перегляд за Автор "Король, Анатолий Николаевич"

Зараз показуємо 1 - 15 з 15

Вероятность ионизации глибокого центра вблизи свободной поверхности полупроводника
(1983) Шека, Д. И.; Король, Анатолий Николаевич; Воскобойников, А. М.
Рассчитывается вероятность ионизации глубокого примесного центра в полуограниченном полупроводнике при изоэнергетическом переходе электронов в зону поверхностных состояний.
Диэлектрическая проницаемость узкозонных кубических кристаллов
(1975) Король, Анатолий Николаевич
Рассчитана диэлектрическая проницаемость полупроводников типа InSb с учетом электронной и дырочных зон. Dielectric permittivity for the semiconductors of the InSb type is evaluated accounting the electronic and hole bands.
Диэлектрическая проницаемость узкозонных кубических кристалов
(1976) Король, Анатолий Николаевич; Шека, Д. И.; Шека, В. И.
В схеме взаимодействующих электронной и дырочной зон рассчитана электронная составляющая диэлектрической проницаемости полупроводников типа InSb. The electronic part of the dielectric permittivity for the InSb like semiconductors is evaluated wthin the scheme of the electronic and hole bands which interact.
Исследование влияния глибоких уровней на характеристики контакта металл-полупроводник
(1979) Король, Анатолий Николаевич
Рассматриваются характер и особенности влияния глубоких уровней на вольтамперные , вольтфарадные, шумовые характеристики контакта металл-полупроводник; новая модель глубокого состояния донорного типа; характер и особенности диэлектрического экранирования в полупроводниках In consideration are: the character and specific features of deep levels effect, noise characteristics of the metal-semiconductor contact; the new model of the deep state of donor type, character and specific features of the dielectric screening in semiconductors.
О возможности получения отрицательного дифференциального сопротивления в диодах Шоттки
(1990) Король, Анатолий Николаевич; Шека, Д. И.; Стриха, В. И.
Рассчитывается туннельно-резонансный ток в барьере Шоттки. Считается, что в нем есть глубокие примеси, которые неоднородно распределены в пространстве. The resonant-tunneling current in the Schottky barrier is evaluated. We assume that there are the deep impurities in this barrier which are located in space inhomoginiesly.
О немонотонной зависимости туннельной прозрачности от толщины барьеров
(1995) Король, Анатолий Николаевич
В рамках метода эффективной массы рассчитывается коэффициент туннельной прозрачности неупорядоченной сверхрешетки, содержащей примесные центры в потенциальных барьерах. Анализируется зависимость коэффициента прозрачности от толщины барьеров, которая, как показано, имеет немонотонный характер. In the framework of the effective mass to calculate the tunneling transparency disordered superlattices containing impurity centers in the potential barrier. The dependence of the transmission coefficient of the barrier thickness, which, as shown, is nonmonotonic.
О резонансном туннелировании через примесные центры в L-образном электронном волноводе
(1995) Король, Анатолий Николаевич
В двухмерном случае рассчитана туннельная трансмиссия электронов через L-образный волновод. Показано, что трансмиссия значительно возрастает благодаря наличию примесей в углу волновода. The tunneling transmittivity of electrons through the L-shaped waveguide is evaluated in 2D case. It is shown that the transmission is highly increased due to presence of impurities in the corner of the waveguide.
О резонансном туннелировании через примесные центры в L-образном электронном волноводе
(1995) Король, Анатолий Николаевич
В двухмерном случае рассчитана туннельная трансмиссия электронов через L-образный волновод. Показано, что трансмиссия значительно возрастает благодаря наличию примесей в углу волновода. The tunneling transmittivity of electrons through the L-shaped waveguide is evaluated in 2D case. It is shown that the transmission is highly increased due to presence of impurities in the corner of the waveguide.
О туннельной прозрачности неупорядоченной сверхрешетки с рассеивателями в потенциальных барьерах
(1994) Король, Анатолий Николаевич
В рамках метода эффективной массы в одномерном случае рассчитан коеффициент туннельной прозрачности неупорядоченной сверхрешетки, которая содержит рассеиватели в потенциальных барьерах. Показано, в частности, что при определенных условиях коеффициент прозрачности может быть близким к единице. Within the framework of the effective mass method the coefficient of tunneling transparency for a decordered semiconductor superlattice is evaluated. It is shown in particular that this coefficient may be close to unity.
О туннельном спектре неупорядоченных полупроводниковых сверхрешеток с примесями в потенциальных барьерах
(1995) Король, Анатолий Николаевич
Методом трансферних матриц рассчитывается коэффициент туннельной прозрачности неупорядоченной сверхрешетки (СР) с рассеивателями в потенциальных барьерах. Неупорядоченность обусловлена двумя факторами: распределение параметров примесей вдоль цепи решетки подчиняется гауссовому закону, а ширины квантовых ям вдоль решетки распределены случайно. Анализируются туннельные спектры рассматриваемых СР в зависимости от параметров задачи. The rate of tunneling transparency of a disordered superlattice with scatterers in the potential barriers is evaluated by the transfer matrix method. Disorder is caused by two factors: the distribution of the parameters of impurities along a lattice chain obeys the Gauss low, and quantum well widths are distributed randomly along the lattice. The dependence of the tunneling spectra of the superlattices considered on the parameters of the problem is analyzed.
Пространственная дисперсия диэлектрической проницаемости в полупроводниках типа InSb
(1977) Шека, Д. И.; Шека, В. И.; Король, Анатолий Николаевич
Методом случайных фаз в кейновской зонной модели рассчитана пространственная дисперсия диэлектрической проницемости узкозонных кристаллов. The space dispersion of the dielectric permittivity is evaluated for the narrow-band crystals within the Cane band model using the random phase method.
Спектральные свойства сверхрешеток Фибоначчи, образованных из графеновых креслообразных нанолент
(2016) Король, Анатолий Николаевич; Литвинчук (Воронцова), Светлана Ивановна; Баглюк, Сергей Владимирович; Лазаренко, Михаил Васильевич
Рассчитываются и анализируются спектры зависимости коэффициента прохождения Т от энергии квазичастиц Е одной из разновидностей сверхрешеток (СР) Фибоначчи, созданных на основе графена. Показано, что различия в значениях поперечно квантованного квазиимпульса электронов в МКГНЛ и ППКГНЛ вполне достаточно для образования эффективной квазипериодической модуляции в рассматриваемой структуре (дополнительных факторов не требуется) и определен оптимальный для этого диапазон ширин нанолент. The spectra of the dependence of the transmission coefficient T on a quasiparticle energy E for one of kinds of the graphene-based Fibonacci superlattices (SL) are calculated and analyzed. It is shown that the difference in values of the quantized transverse quasimomentum of electrons in MGNR and SCGNR is sufficient to form an effective quasiperiodic modulation in the given structure, and the range of the ribbon widths for this purpose is determined.
Спектры трансмиссии электронов через графеновую сверхрешетку Тью-Морса
(2014) Король, Анатолий Николаевич
Изучаются трансмиссионные спектры сверхрешетки Тью-Морса на основе многослойного графена при наличии в немзапрещенной зоны. We study the transmission spectra of the Thue-Morse supperlattice based oh the grapheme.
Туннельные спектры полупроводниковых сверхрешоток Фибоначчи с примесями в потенциальных барьерах
(1995) Король, Анатолий Николаевич
Методом трасферных матриц рассчитывается коэффициент туннельной трансмиссии электрона через сверхрешетку (СР) Фибоначчи, как показано, можно образовать легированием периодической СР глубокими примесями. Анализируется зависимость энергетических спектров рассматриваемой структуры от параметров рассеивающих центров. The rate of tunneling transmission of an electron across the Fibonacci superlattice is evaluated using the transfer matrix technique. The superlattice can be created by doping a periodical superlattice with deep-taying impurities. The dependence of the energetic spectra of the structure considered on the parameters of the scathering centers is analyzed.
Учет неравновесности в задаче об определении параметров глубоких примесных уровней из характеристик контакта металл-полупроводник
(1978) Король, Анатолий Николаевич; Стриха, В. И.; Шека, Д. И.
Получена пространственная зависимость квазиуровня Ферми в контакте металл-тонкий диэлектрик-полупроводник, содержащем глубокие примеси. Space dependence of the Fermi quasilevel is obtained for the contact metal-thin dielectric-semiconductor which containes deep levels