Статті
Постійне посилання колекціїhttps://dspace.nuft.edu.ua/handle/123456789/7522
Переглянути
3 результатів
Результати пошуку
Документ Пространственная дисперсия диэлектрической проницаемости в полупроводниках типа InSb(1977) Шека, Д. И.; Шека, В. И.; Король, Анатолий НиколаевичМетодом случайных фаз в кейновской зонной модели рассчитана пространственная дисперсия диэлектрической проницемости узкозонных кристаллов. The space dispersion of the dielectric permittivity is evaluated for the narrow-band crystals within the Cane band model using the random phase method.Документ Диэлектрическая проницаемость узкозонных кубических кристалов(1976) Король, Анатолий Николаевич; Шека, Д. И.; Шека, В. И.В схеме взаимодействующих электронной и дырочной зон рассчитана электронная составляющая диэлектрической проницаемости полупроводников типа InSb. The electronic part of the dielectric permittivity for the InSb like semiconductors is evaluated wthin the scheme of the electronic and hole bands which interact.Документ Dielectric permittivity of semiconductors with narrow forbidden gap in the long-wave limit(1976) Sheka, D.; Korol, Anatoliy; Шека, Д. І.; Король, Анатолій МиколайовичIn the random phase approximation the dielectric permittivity is evaluated for a semiconductor with a band structure described by Kane’s energy band scheme. It is demonstrated that the fact that several hole bands have been taken into account, when the operator of the kinetic energy ceased to be the Dirac one plays the principal role in the calculation of the static dielectric permittivity ε(q →0).