Статті
Постійне посилання на розділhttps://dspace.nuft.edu.ua/handle/123456789/7372
Переглянути
5 результатів
Результати пошуку
Документ Пространственная дисперсия диэлектрической проницаемости в полупроводниках типа InSb(1977) Шека, Д. И.; Шека, В. И.; Король, Анатолий НиколаевичМетодом случайных фаз в кейновской зонной модели рассчитана пространственная дисперсия диэлектрической проницемости узкозонных кристаллов. The space dispersion of the dielectric permittivity is evaluated for the narrow-band crystals within the Cane band model using the random phase method.Документ Диэлектрическая проницаемость узкозонных кубических кристалов(1976) Король, Анатолий Николаевич; Шека, Д. И.; Шека, В. И.В схеме взаимодействующих электронной и дырочной зон рассчитана электронная составляющая диэлектрической проницаемости полупроводников типа InSb. The electronic part of the dielectric permittivity for the InSb like semiconductors is evaluated wthin the scheme of the electronic and hole bands which interact.Документ О возможности получения отрицательного дифференциального сопротивления в диодах Шоттки(1990) Король, Анатолий Николаевич; Шека, Д. И.; Стриха, В. И.Рассчитывается туннельно-резонансный ток в барьере Шоттки. Считается, что в нем есть глубокие примеси, которые неоднородно распределены в пространстве. The resonant-tunneling current in the Schottky barrier is evaluated. We assume that there are the deep impurities in this barrier which are located in space inhomoginiesly.Документ Учет неравновесности в задаче об определении параметров глубоких примесных уровней из характеристик контакта металл-полупроводник(1978) Король, Анатолий Николаевич; Стриха, В. И.; Шека, Д. И.Получена пространственная зависимость квазиуровня Ферми в контакте металл-тонкий диэлектрик-полупроводник, содержащем глубокие примеси. Space dependence of the Fermi quasilevel is obtained for the contact metal-thin dielectric-semiconductor which containes deep levelsДокумент Вероятность ионизации глибокого центра вблизи свободной поверхности полупроводника(1983) Шека, Д. И.; Король, Анатолий Николаевич; Воскобойников, А. М.Рассчитывается вероятность ионизации глубокого примесного центра в полуограниченном полупроводнике при изоэнергетическом переходе электронов в зону поверхностных состояний.