Залежність енергетичної зонної структури конвенційних напівпровідникових надграток від товщини потенціальних бар’єрів

Ескіз

Дата

2012

ORCID

DOI

item.page.thesis.degree.name

item.page.thesis.degree.level

item.page.thesis.degree.discipline

item.page.thesis.degree.department

item.page.thesis.degree.grantor

item.page.thesis.degree.advisor

item.page.thesis.degree.committeeMember

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Анотація

Напівпровідникові надгратки (НГ) протягом останніх років викликають значний інтерес в наукових колах. Це викликано двома причинами, а саме, з одного боку НГ мають велике застосовне, практичне значення, з іншого, їх вивчення допомагає краще зрозуміти фізику сучасних напівпровідникових наноструктур. Нову хвилю зацікавленості в наноструктурних НГ викликало створення графену та його інтенсивне вивчення (див.нпр. [ 1-2 ]), але дослідження фізичних процесів в конвенційних НГ також залишаються широкими.

Опис

Ключові слова

електронні стани в потенціальних бар’єрах та квантових ямах, кремній-карбід кремнію, напівпровідникова надгратка, кремний-карбид кремния, полупроводниковая сверхрешетка, электронные состояния в потенциальных барьерах и квантовых ямах, electronic states in potential barriers and quantum wells, Si – SiC, semiconductor superlattice, кафедра фізики та професійної безпеки

Бібліографічний опис

Король, А. М. Стратегія впровадження франчайзингу – прогресивний підхід до розвитку підприємств харчової промисловості/ А. М. Король // Наукові праці НУХТ. – 2012. – №44. – С. 78-80.

Колекції

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced