The effect of both abrupt and strong enhancement of current in the semiconductor system : Schottky barrier containing a double barrier resonant-tunneling structure

Вантажиться...
Ескіз

Дата

ORCID

DOI

Науковий ступінь

Рівень дисертації

Шифр та назва спеціальності

Рада захисту

Установа захисту

Науковий керівник

Члени комітету

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Анотація

The current-voltage characteristics for the double barrier resonant-tunneling structure incorporated into the depletion region of a Schottky barrier, are evaluated and analyzed. Hence both a very sharp and strong enhancement of current through the structure considered takes place for forward bias.

Опис

Бібліографічний опис

Korol, A. The effect of both abrupt and strong enhancement of current in the semiconductor system : Schottky barrier containing a double barrier resonant-tunneling structure / A. Korol, O. Tretyak, D. Sheka // Physica Status Solidi (a) 188. – 2001. - № 3. – P. 1169-1175.

Колекції

Підтвердження

Рецензія

Додано до

Згадується в