Статті
Постійне посилання на розділhttps://dspace.nuft.edu.ua/handle/123456789/7372
Переглянути
3 результатів
Результати пошуку
Документ Effect of deep impurity levels on Schottky barrier diode characteristics(1975) Korol, Anatoliy; Kitsai, M. Ye.; Strikha, V.; Sheka, D.In the presence of an arbitrary number of deep donor levels volt-ampere and volt-farad characteristics are obtained for the Schottky barrier diode which contains a thin dielectric layer between the metal and the semiconductor.Документ Учет неравновесности в задаче об определении параметров глубоких примесных уровней из характеристик контакта металл-полупроводник(1978) Король, Анатолий Николаевич; Стриха, В. И.; Шека, Д. И.Получена пространственная зависимость квазиуровня Ферми в контакте металл-тонкий диэлектрик-полупроводник, содержащем глубокие примеси. Space dependence of the Fermi quasilevel is obtained for the contact metal-thin dielectric-semiconductor which containes deep levelsДокумент Вплив домішкової зони на положення глибокого рівня в сильнолегованих напівпровідниках типу А3 В5(2012) Король, Анатолій МиколайовичРозглядається сильнолегований мілкими домішками напівпровідник, в якому є також глибокий домішковий центр; потенціал останнього задається моделлю Слетера-Костера. Показано, що положення глибокого рівня в даній системі істотно відрізняється від його положення в нелегованому напівпровіднику. Конкретний розрахунок проведено для напівпровідників типу А3В5(використано кейнівський закон дисперсії).